英特爾推企業級固態硬盤 數據中心要用3D TLC NAND

今日，英特爾宣布了兩款應用於數據中心的固態硬盤：P4500和P4600，這是自推出首款NVMe SSD以來，其企業級PCIe SSD產品陣容最為重要的更新。率先推出的係列將包含容量為1TB、2TB、4TB的半高半長的插卡式及U.2接口2.5寸形態的產品。

根據英特爾官方的介紹，P4500和P4600是英特爾P3600和P3700係列的後繼產品。P4500和P4600通過全新的SSD控製器和3D NAND閃存帶來了一係列的性能提升，例如，比上一代快3.3倍的寫入速度。

目前大多數英特爾PCIe SSD仍然使用的是20nm MLC NAND閃存，盡管P3500使用英特爾3D MLC替代了P3520，但是P4x00係列產品將使用的是英特爾的32層3D TLC NAND閃存。與英特爾20nm MLC的128Gb（16GB）相比，每芯片容量為384Gb（48GB）。因此，兩款全新的產品在容量上有了大幅提升往哪給：P3x00產品的容量從400GB提高到2TB，新的P4500和P4600從 1TB，最初提供高達4TB，預計到年底將有8TB型號。

事實上，自從SLC被市場淘汰後，企業級SSD在過去幾年中大都使用的是MLC NAND，但是從目前的市場可以看出，MLC NAND已經在向3D TLC NAND轉型。3D NAND擁有很多優勢，例如增加耐用性和降低功耗，但最重要的是，它提供了更低的定價和更高的密度。DC P4600和P4500是首款采用英特爾384Gb芯片的32位TLC NAND。

據了解，這兩款新產品整合了英特爾的NAND、控製器、固件以及組件，而其控製器具有12個通道（每通道4個CE），用於連接閃存，雖然低於上一代控製器的18個通道，但仍遠遠高於客戶端/麵向消費者的NVMe控製器的通道數；此外，在速度方麵也有大幅的提升：讀取高達3280MB/s，寫入為2100MB/s，4K隨機讀取702.5K IOPS，寫入257K IOPS。

英特爾還表示，新的控製器比前幾代更具可擴展性，因此未來我們很有可能在同一個平台上看到更高的容量。

當然，P4500和P4600最大的新功能還是完全支持NVMe管理接口標準，這一特性可以讓配備IPMI的服務器通過BMC完全訪問驅動器的SMART數據和固件更新，而無需考慮服務器上運行的操作係統如何。

值得注意的是，2015年10月，英特爾宣布投資建設大連Fab68工廠並轉產3D NAND，而現在英特爾已經計劃在中國大連擴建Fab68工廠以擴大3D NAND的供給，進而滿足最終用戶的存儲需求。

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