比QLC閃存還渣 FLC閃存即將浮出水麵：用戶還能接受嗎？

NAND閃存從SLC到MLC再到TLC，可以說一步步降低了成本，提升了容量，這是它們得以普及的關鍵。現在QLC閃存在這一年中發展迅猛，大有搶TLC風頭的意味，而更渣的PLC閃存也在路上了。

所謂 SLC 、 MLC 、 TLC 、 QLC 及 PLC ，指的是閃存的類型，它們每個 cell 單元分別存放 1 、 2 、 3 、 4 、 5 位電荷，所以容量越來越大，但是代價就是寫入速度越來越低， P/E 壽命越來越渣 ， QLC 的 P/E 次數宣傳上有 1000 次，實際大概是幾百次， FLC 時代弄不好要跌到 100 次內了。

從消費者角度來說， QLC 閃存都很難接受，更別提再渣一等的 PLC 閃存，這壽命和速度看著不讓人放心。

但是閃存廠商對 PLC 閃存的研究早就開始了，隨著 QLC 閃存發展的第三、第四代，目前性能、容量、可靠性算是維持住底線了，研發中的 FLC 閃存進入市場隻是遲早的事。

從 Intel 之前的表態來看， 他們早就規劃好 FLC 閃存了，好消息是其 3D PLC 閃存將仍舊堅守使用浮柵型結構（ Floating Gate ） ，盡管當前 3D 閃存的主流結構是 Charge Trap 電荷捕獲型，但 Intel 指出，浮柵型在讀取幹擾、數據保持期上更優秀。

三星、東芝、美光、 SK 海力士、西數等公司的 FLC 閃存也是箭在弦上，隻是時間早晚的事。

FLC 閃存一定會被推到市場上，但是最終能不能被接受還不好說， SINA 存儲網絡協會董事會成員 J Metz 認為 FLC 閃存在技術上是不可避免的，但他對其市場前景表示懷疑，特別是 TLC 閃存等成本不斷下降的情況下。

根據 J Metz 的看法，阻礙 FLC 閃存的倒不是 FLC 本身缺點，而是廠商如果能在 TLC 或者 QLC 閃存上就做到需要的大容量、成本等指標，那就沒必要去推 FLC 閃存，畢竟後者在技術、可靠性等方麵確實需要更多投入。

【作者：憲瑞】