外媒：東芝通過矽穿孔技術來提升3D NAND效率

硬件發燒友們一直期待著更快、更實惠、更可靠的存儲產品，而大型數據中心則更關注與能源效率。 本文要為大家介紹的，就是東芝 BiCS 3D TLC NAND 閃存所使用的矽穿孔（TSV）技術。其聲稱可減少存儲應用的功耗，同時保障低延時、高吞吐、以及企業級 SSD 的每瓦特高 IOPS 。 據外媒所述，這是當前業內首個推向市場的矽穿孔 NAND 閃存產品。

TSV 是指垂直通過矽芯片的電氣連接，東芝稱這種製造方法有助於提升能源效率和帶寬。與當前基於鍵合（wire-bonding）技術的閃存芯片相比，TSV BiCS 閃存芯片可帶來兩倍能效。

它將堆疊的核心引腳連接了起來，盡管增加了一定的製造複雜度和成本，但最終價格還是可以比其它形式的 NAND 要便宜一些。目前 TSV 人多用於堆棧式 DRAM，比如 AMD 在 Fuji 和 Vega 高端桌麵級顯卡上所采用的 HBM 閃存。

東芝初期將提供 512GB 和 1TB 容量、以及 1066 Mbps 的 TSV NAND 產品，大小為 14×18 mm 。八層 512GB 芯片的厚度為 1.35 mm，而 16 層 1TB 的芯片厚度為 1.85 mm 。

該公司稱，它已於上月向製造合作夥伴出貨基於 TSV 技術的 BiCS 3D TLC 閃存芯片，預計樣品可在年底前出貨。此外東芝也將於 8 月第二周在聖克拉拉舉辦的“2017 閃存峰會上”展示相關原型。來源： Toshiba