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Everspin宣布千兆級芯片ST-MARAM 有更好的耐用性

發布時間:2017-08-09    瀏覽數:

磁性隨機存取內存(MRAM)將在今年達到一個新的裏程碑。Everspin宣布開始嚐試打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片,另外他們已經將這款高壽命、非易失性的內存芯片生產提上議程。Everspin的ST-MRAM能夠提供持久的記憶能力,相較於普通的NAND閃存技術,它可以減少寫入放大倍數並擁有更好的耐用性。

Everspin宣布千兆級芯片ST-MARAM 有更好的耐用性(1)

這款新芯片采用的則是一個兼容DDR4的接口。這家公司表示,供應商可以利用持久的記憶技術設計企業級SSD或對現有的儲存產品展開進一步的改善。

據了解,ST-MARAM的密度要比公司旗下現有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指出,從Global Foundries的40nm工藝到foundry 28nm工藝的轉變是開發這種千兆級芯片的關鍵,另外它還展示了公司垂直磁性隧道結(pMTJ)的可擴展性。

首批配備Everspin全新千兆MRAM芯片的產品之一將來自Smart Modular公司。該公司計劃發布一款NVMe PCIe硬盤,它的重量和長度都將減半,其將用於元數據緩存和儲存加速應用。Smart Modular表示,該產品單元在4K隨機讀寫測試中能夠達到1500K IOPS。

眼下,Everspin正在閃存峰會(Flash Memory Summit)展示他們的1Gb ST-MRAM。

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