今年第三季度,NAND閃存依然處於供給吃緊的狀態,主要是顆粒廠麵向3D工藝的轉型步伐較慢,低於預期。
而需求方麵,手機、服務器、數據中心依然表現強勢。
不過,來自DRAMeXchange的最新報告稱,在明年,NAND閃存的市場將達到一種穩態局麵。其中,供給側的產能將提升42.9%,而需求側,增長預計在37.7%。
目前在3D閃存方麵,三星的轉產最為順利,已經在Q3開始量產64層堆疊,而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。
據悉,在明年的所有3D閃存中,3D閃存出貨的占比預計將最高可達70%,其中三星預計60%~70%、SK海力士預計40%~50%、東芝預計50%、美光/Intel合計預計在40%~50%。
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