三星宣布量產GDDR6顯存 10nm工藝打造

      1月18日消息：三星在今天宣布開始量產GDDR6顯存芯片，並表示GDDR6顯存將使用10納米級別生產工藝製造，密度可以達到16Gb。

　　據悉，三星GDDR6顯存的單顆容量為2GB，工作頻率16GHz，IO數據帶寬64GB/s，電壓為1.35V，相較GDDR5的1.55V節能大約35%。

顯存

　　三星表示，全新的解決方案可以在一個18Gbps pin的速度上執行，每秒傳輸速度可以達到72 GBps。

　　隨著“挖礦”事業的壯大，顯卡行業似乎在遊戲之外又煥發了“第二春”，市場上的顯卡需求日益旺盛，也對顯存的要求越來越高。

http://news.zol.com.cn/675/6752391.html news.zol.com.cn true 中關村在線 http://news.zol.com.cn/675/6752391.html report 487   1月18日消息：三星在今天宣布開始量產GDDR6顯存芯片，並表示GDDR6顯存將使用10納米級別生產工藝製造，密度可以達到16Gb。　　據悉，三星GDDR6顯存的單顆容量為2GB，工作頻率16GHz，IO數據帶寬64GB/s，電壓為1.35V，相較GDDR5的1.55V節...