第三代HBM2E顯存公布：針腳帶寬增加33%至3.2Gbps

本周，固態存儲協會（JEDEC）發布第三版HBM2存儲標準JESD235C， 將針腳帶寬提高到3.2Gbps，前兩版中依次是2Gbps、2.4Gbps，環比提升33% 。

按照設計規範，單Die最大2GB、單堆棧12 Die（無標準高度限製），也就是24GB容量，匹配1024bit位寬，單堆棧理論最大帶寬410GB/s。對於支持四堆棧（4096bit）的圖形芯片來說，總帶寬高達1.64TB/s。

第三代HBM2的電壓和上一版一致，為1.2V，比第一代的1.35V有所下降。

簡單比較下，常見高端獨顯采用的256bit GDDR6，按照14Gbps的針腳帶寬計算，總帶寬448GB/s，也就是第三代HBM2一個堆棧的水平。考慮到HBM2更容易擴充總線寬度，GDDR6過猶不及， 況且單堆棧最大容量就能達到24GB，四堆棧直逼100GB。

圖為HBM顯存示意

事實上，3.2Gbps的第三代HBM2早先已經由三星和SK海力士提出，並更名為HBM2E，這種說法也得到了JEDEC默認。

在JESD235C標準發布的同時，三星宣布，名為Flashbolt（前兩代名為Flarebolt和Aquabolt）的第三代HBM2（HBM2E）存儲芯片將在上半年量產，單顆最大容量16GB，由16Gb的單Die通過8層堆疊而成。

三星的第三代HBM2E甚至支持超頻，單針腳可加速到4.2Gbps，單堆棧最大帶寬從而升至538GB/s。

【作者：萬南】