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海力士推全球首款72層3D NAND閃存 讀寫性能快20%

發布時間:2017-04-11    瀏覽數:

【PConline 資訊】SK海力士近日推出世界首款72層256Gb 3D NAND閃存,這種芯片單元數量比48層技術多1.5倍,生產效率增加了30%。單個256Gb NAND閃存芯片可以提供32GB閃存,由於加入了高速電路設計,該芯片比48層3D NAND芯片的內部運行速度快兩倍,讀寫性能快20%。

海力士推全球首款72層3D NAND閃存 讀寫性能快20%(1)

SK海力士表示,72層3D NAND芯片將於今年下半年大規模生產,滿足高性能固態硬盤和智能手機設備的需求。

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