兩年投入超300億,華為終於在最核心領域內出手!不靠台積電。

發布時間:2020-07-28    瀏覽數:
美國為了打壓限製華為在5G等領域內發展,今年年中,突然修改禁令規則,稱將嚴格限製華為使用美國技術研發、設計、製造半導體芯片。

據悉,美國此舉實際上就是想限製台積電代工生產華為芯片,畢竟華為芯片幾乎都由台積電代工生產,並且,台積電是技術最為先進的代工廠。

美國修改禁令規則後,全球芯片供應鏈都表達了不滿,台積電更是不希望發生。

其不僅尋找禁令漏洞,還對美國政府進行遊說,甚至直接向美國提出申請,目的就是放寬限製。

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但結果很不理想,在7月中旬的時候,台積電明確表示,目前沒有計劃在9月14日後繼續向華為供貨,而美國禁令生效時間是9月15日。

另外,台積電劉德音表示,台積電追求的是技術領先,在半導體領域,如果不采用最好的設備,將難以達到技術領先水平。

如果要考慮美係科技以外的選項,那不是我們目前努力的方向。

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也就是說,除非獲得美國許可,否則台積電是不可能代工華為芯片,這意味著斷供成必然。

雖然國內廠商有中芯國際,但在中芯國際上市前就表示,因為美國禁令,可能無法代工生產某些廠商的芯片。

最主要的是,中芯國際技術落後太多,目前能量產的最先進的芯片是14nm,產能還有限,12nm的芯片還在試產中。

至於7nm、5nm、3nm等製程的先進芯片,中芯國際目前是無法量產,也不能量產,因為沒有EUV光刻機。

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而芯片又是現在智能設備的核心元器件,倘若不能使用華為自主研發的海思係列處理器,將會影響華為5G、手機等業務。

於是,有報道稱,華為正在學習三星,準備自建生產線,實現芯片自研自產,而高通目前也在朝著這方麵轉型。

麵對光刻機這個棘手的問題,華為終於在最核心領域內出手了,要自主研發光刻機技術。

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根據有關媒體的報道,華為目前已經在招聘光刻機工程,預計在兩年內投入超300億元,要實現自主光刻機技術突破。

當然,華為進入光刻機研發領域內,也並非一時興起,早在2016年,華為就申請了相關光刻機技術專利,但當時環境並非這麼迫切。

另外,消息稱華為已經開啟了“戰時狀態”,每天工作超18個小時,目前就全力實現光刻機技術突破。

因為EUV光刻機是生產7nm以下芯片的必要設備,而唯一生產先進光刻機的荷蘭廠商ASML,也受製於美國禁令,所以先進光刻機一直無法達到國內。

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在這樣的情況下,華為不得不高投入、全力突破光刻機技術,隻有掌握自主光刻機技術,才能徹底擺脫美國禁令。

當然,華為計劃研發光刻機技術,2年超300億還不夠的,畢竟先進光刻機是頂級技術,零件超40萬個,否則也不會僅掌握早荷蘭一家公司手中。

但華為進入光刻機領域內是好事,必然會推動光刻機技術突破。

因為華為每進入一個領域,都能取得矚目的成績,像華為手機現在是全球第二、5G手機是全球第一、5G技術也是全球第一。

而華為海思更是全球第十,還是唯一一家國產半導體廠商,如今華為研發光刻機技術,必然加速國內光刻機技術的進行,盡早實現自主光刻機量產。

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一旦國產自主先進光刻機研發成功,芯片代工方麵不靠台積電,要知道,目前國內先進芯片幾乎都是台積電代工的。

當然,華為在最核心的領域內出手,著手研發光刻機技術,也並非在孤軍奮戰。

目前國內廠商有很多都在研發光刻機技術。

像上海微電正在全力研發28nm的光刻機,預計近兩年內量產,一旦投入使用,經過改良後,國內廠商就能量產10nm的芯片。

另外,深圳的中微半導體已經成功的研發出了可以用於5nm工藝生產的蝕刻機,消息稱該國產5nm的腐蝕機已經通過台積電驗證,將會用於生產5nm的芯片生產線中。

還有就是,中科院研究出了一種新型5nm超高精度激光光刻加工方法,雖然與5nm光刻機等是兩碼事。

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但至少掌握了5nm這樣的先進切割技術,未來能夠應用在光刻機中。

也就是說,一旦這些廠商技術成熟,通過技術融合成功量產自主光刻機,國內芯片廠商就能不靠台積電,更不用擔心美國禁令了。

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